Samsung đã một lần nữa khiến thế giới ngạc nhiên khi bắt đầu sản xuất hàng loạt các sản phẩm LPDDR5 10 nm thế hệ thứ ba (1z), sử dụng kỹ thuật in thạch bản bằng tia siêu cực tím (EUV) lần đầu tiên trong ngành bán dẫn.
Bằng cách mở rộng quy trình EUV mà trước đây chỉ được sử dụng cho lĩnh vực kinh doanh đúc bán dẫn sang lĩnh vực bộ nhớ, nó cho thấy khả năng sản xuất hàng loạt các bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) tiến trình 10 nm.
Ngày 30/8, Samsung đã đưa ra thông báo rằng họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM di động LPDDR5 dung lượng 16 GB lần đầu tiên trên thế giới tại dây chuyền thứ hai ở Pyeongtaek, tỉnh Gyeonggi. Sản phẩm mới này đáp ứng đồng thời cả 2 yếu tố đó là có dung lượng lớn nhất và tốc độ nhanh nhất từ trước đến nay.
 |
| Chip LPDDR5 16 GB – 10 nm thế hệ thứ 3 của Samsung. Ảnh: Businesskorea |
Vào tháng 2 vừa qua, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM LPDDR5 16 GB với dung lượng lớn nhất từ trước đến nay bằng tiến trình 10 nm (1y) thế hệ thứ hai của mình. Chỉ trong sáu tháng, công ty đã tiếp tục cho ra đời dòng sản phẩm DRAM di động cao cấp của mình với tiến trình 1z thế hệ tiếp theo.
SK Hynix, công ty có thị phần lớn thứ hai trong lĩnh vực DRAM sau Samsung cũng đang có kế hoạch áp dụng EUV cho các sản phẩm thế hệ thứ 4 hiện đang được phát triển để sản xuất hàng loạt vào năm 2021. SK Hynix được cho là chậm hơn so với Samsung khoảng từ sáu tháng đến một năm.
Sản phẩm mới nhất của Samsung đạt tốc độ hoạt động 6.400 Mbps, nhanh hơn 16% so với DRAM di động có dung lượng 12 GB (LPDDR5 - 5.500 Mbps) cho các dòng điện thoại thông minh cao cấp. Một điện thoại thông minh với DRAM dung lượng 16 GB có thể xử lý 51,2 GB mỗi giây tương đương với khoảng 10 bộ phim full HD.
Ngoài ra, DRAM di động LPDDR5 16 GB chỉ có thể được sản xuất với tám chip, làm cho nó mỏng hơn 30% so với phiên bản trước với tám chip 12 GB và bốn chip 8 GB. Như vậy, DRAM di động LPDDR5 16 GB có thể cung cấp giải pháp tối ưu cho các sản phẩm có nhiều bộ phận như điện thoại nhiều camera và thiết bị cầm tay 5G và các sản phẩm chú trọng đến độ dày như điện thoại có thể gập.
Samsung đang có kế hoạch đánh phủ đầu thị trường điện thoại thông minh hàng đầu 5G bằng cách cung cấp DRAM di động 16 GB thế hệ tiếp theo cho các nhà sản xuất điện thoại thông minh toàn cầu. Nó cũng đang có kế hoạch mở rộng việc sử dụng sản phẩm mới sang thiết bị điện tử cho xe cộ bằng cách đảm bảo độ tin cậy ở nhiệt độ cao.
Những người trong ngành công nghiệp bán dẫn dự đoán rằng, Samsung sẽ tăng dần phạm vi ứng dụng của các quy trình EUV bắt đầu từ sản phẩm bộ nhớ này. Mặc dù giá của thiết bị EUV là hàng trăm tỷ won một chiếc, nó có lợi thế là giảm quy trình sản xuất vì nó có thể vẽ các đường mạch nhanh hơn trước. Mặc dù thiết bị in thạch bản hiện tại yêu cầu một số quy trình tạo mẫu để vẽ các đường mạch, thiết bị EUV yêu cầu một hoặc hai quy trình tạo mẫu.
Ngoài ra, quy trình EUV được kỳ vọng sẽ giúp các nhà sản xuất chip nhớ vượt qua giới hạn 10 nm trong việc chế tạo DRAM.
Phan Văn Hòa (theo Businesskorea)
TSMC dự kiến cung cấp chipset tiến trình 3nm vào nửa cuối năm 2022
Nhà sản xuất chất bán dẫn hàng đầu thế giới TSMC của Đài Loan lên kế hoạch sẽ cung cấp chipset tiến trình 3nm cho khách hàng của mình vào nữa cuối năm 2022.
No comments:
Post a Comment